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接收器件

 - 高能粒子探测型、... 硅光电二极管
高能粒子探测型 紫外增强型 蓝光增强型 可见-近红外型 1064nm增强型 高速响应型 内置滤光片型 内置前放,制冷型
 - 高速响应型、大光... InGaAs光电二极管
高速响应型 大光敏面型 内置前放,制冷型 波长扩展型 高灵敏度型
 - 锗光电二极管、硫... 红外探测器
锗光电二极管 硫化铅(Pbs)光电二极管 砷化铟(InAs)光电二极管 硒化铅(PbSe)光电二极管 锑化铟(IS)光电探测器 碲镉汞(MCT)光电探测器 低温操作接收模组 H系列接收模组
 - 紫外增强型、蓝光... 硅光电雪崩二极管
紫外增强型 蓝光增强型 红光增强型 可见-近红外型 近红外增强型 1064nm增强型 Reach-through型 盖革工作模式型 内置前放、制冷型 内置滤光片型
 - InGaAs光电雪崩二... InGaAs光电雪崩二极管
InGaAs光电雪崩二极管 内置前放型InGaAs APD
 - LiTaO3 电流模式、... 热释电探测器
LiTaO3 电流模式 LiTaO3电压模式 DLaTGS 电流差分模式 DLaTGS 电流模式 DLaTGS 电压差分模式
 - 线阵光电二极管阵... 光电二极管阵列
线阵光电二极管阵列 线阵APD阵列 面阵光电二极管阵列 面阵APD阵列 PbSe阵列
 - 固态硅光电倍增管... 固态硅光电倍增管和模组
固态硅光电倍增管 固态硅光电倍增管模组
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PSD位移探测器 四象限探测器 内置前放型
 - PIN管模组、APD模... 光电二极管接收模组
PIN管模组 APD模组 单光子计数模组
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波长探测器 双波长光电二极管 内置前放、制冷型 内置前放型
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单通道热电堆 多通道热电堆 热电堆模块 温度传感器模块 阵列

发射器件

 - 红外黑体光源... 红外黑体光源
红外黑体光源
 - 法布里-珀罗腔结构... 激光二极管
法布里-珀罗腔结构 激光二极管 脉冲激光二极管(PLD) 量子点结构 激光二极管 内置VBG光栅 激光二极管 VCSEL 激光二极管
 - 低成本型 激光模组... 激光器模组
低成本型 激光模组 圆形光斑 激光模组 椭圆光斑 激光模组 一字型光斑 激光模组 十字型光斑 激光模组 拉曼光源模组 脉冲激光二极管模组 TEC制冷型 激光模组
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带金属底座 卤素灯 带反光杯 卤素灯 硬引脚 卤素灯 软引脚 卤素灯
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金属弧光灯 弧光灯光源盒
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白光LED模组
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脉冲激光驱动板
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可编程电流放大器
※产品展示 > InGaAs光电二极管 > 大光敏面型
大光敏面型 - 产品筛选
类别: 不限     高速响应型     内置前放,制冷型     高灵敏度型    
波长: 不限     普通型(800-1700nm)     扩展型(1200-2600nm)    
光敏面积: 不限     直径小于1000um     直径1000um     直径2000um     直径3000um     直径5000um    
封装类型: 不限     金属封装     陶瓷封装    
型号 光敏面尺寸(um) 光敏面积(um2) 响应度(A/W) 噪声等效功率(W/√Hz) 封装(-)
EPD-1300-0-0.5 Ø0.50.1960.9@1300nm< 1.1 x 10–14TO-18
EPD-1300-0-3.0 Ø37.00.9@1300nm< 5.2 x 10–14TO-39
EPD-1300-5-0.2 Ø0.20.0320.9@1300nm< 4 x 10–145mm,Plastic,Lens
IGA–020 Ø2.03.140.9@1550nm< 7 x 10–14TO-5
IGA–030 Ø370.9@1550nm< 5 x 10–14TO-5
IGA-001 Ø0.10.0080.90 @ 1300nm-TO-18
IGA-003 Ø0.30.070.90 @ 1300nm-TO-18
IGA-010 Ø10.7850.9@1550nm-TO-18
IGA-050 Ø519.6250.9@1550nm< 3.0 x 10–13TO-8
FCI-InGaAs-1000 Ø10.7850.9@1300nm
0.95@1550nm
2.45E-14TO-18
FCI-InGaAs-1500-X Ø1.51.770.9@1300nm
0.95@1550nm
3.01E-14TO-18
FCI-InGaAs-3000-X Ø370.9@1300nm
0.95@1550nm
4.25E-14TO-5
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