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接收器件

 - 高能粒子探测型、... 硅光电二极管
高能粒子探测型 紫外增强型 蓝光增强型 可见-近红外型 1064nm增强型 高速响应型 内置滤光片型 内置前放,制冷型
 - 高速响应型、大光... InGaAs光电二极管
高速响应型 大光敏面型 内置前放,制冷型 波长扩展型 高灵敏度型
 - 锗光电二极管、硫... 红外探测器
锗光电二极管 硫化铅(Pbs)光电二极管 砷化铟(InAs)光电二极管 硒化铅(PbSe)光电二极管 锑化铟(IS)光电探测器 碲镉汞(MCT)光电探测器 低温操作接收模组 H系列接收模组
 - 紫外增强型、蓝光... 硅光电雪崩二极管
紫外增强型 蓝光增强型 红光增强型 可见-近红外型 近红外增强型 1064nm增强型 Reach-through型 盖革工作模式型 内置前放、制冷型 内置滤光片型
 - InGaAs光电雪崩二... InGaAs光电雪崩二极管
InGaAs光电雪崩二极管 内置前放型InGaAs APD
 - LiTaO3 电流模式、... 热释电探测器
LiTaO3 电流模式 LiTaO3电压模式 DLaTGS 电流差分模式 DLaTGS 电流模式 DLaTGS 电压差分模式
 - 线阵光电二极管阵... 光电二极管阵列
线阵光电二极管阵列 线阵APD阵列 面阵光电二极管阵列 面阵APD阵列 PbSe阵列
 - 固态硅光电倍增管... 固态硅光电倍增管和模组
固态硅光电倍增管 固态硅光电倍增管模组
 - PSD位移探测器、四... 位置探测器
PSD位移探测器 四象限探测器 内置前放型
 - PIN管模组、APD模... 光电二极管接收模组
PIN管模组 APD模组 单光子计数模组
 - 波长探测器、双波... 双波长探测器
波长探测器 双波长光电二极管 内置前放、制冷型 内置前放型
 - 单通道热电堆、多... 热电堆
单通道热电堆 多通道热电堆 热电堆模块 温度传感器模块 阵列

发射器件

 - 红外黑体光源... 红外黑体光源
红外黑体光源
 - 法布里-珀罗腔结构... 激光二极管
法布里-珀罗腔结构 激光二极管 脉冲激光二极管(PLD) 量子点结构 激光二极管 内置VBG光栅 激光二极管 VCSEL 激光二极管
 - 低成本型 激光模组... 激光器模组
低成本型 激光模组 圆形光斑 激光模组 椭圆光斑 激光模组 一字型光斑 激光模组 十字型光斑 激光模组 拉曼光源模组 脉冲激光二极管模组 TEC制冷型 激光模组
 - 带金属底座 卤素灯... 卤素灯
带金属底座 卤素灯 带反光杯 卤素灯 硬引脚 卤素灯 软引脚 卤素灯
 - 金属弧光灯、弧光... 弧光灯
金属弧光灯 弧光灯光源盒
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白光LED模组
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紫外LED 可见LED 近红外LED 可见光LED芯片 近红外LED芯片

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 - 增透膜、高斯镜、... 光学元件
增透膜 高斯镜 分光镜 反射镜片 部分反射镜 偏振片 体布拉格光栅(VBG) 滤光片
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脉冲激光驱动板
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雪崩光电二极管高压供电电路
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可编程电流放大器
※产品展示 > 红外探测器 > 锗光电二极管
锗光电二极管 - 产品筛选
类别: 不限     锗光电二极管     硫化铅(Pbs)光电二极管     砷化铟(InAs)光电二极管     硒化铅(PbSe)光电二极管     锑化铟(IS)光电探测器     碲镉汞(MCT)光电探测器     低温操作接收模组     H系列接收模组    
光敏面积: 不限     小于10mm2     大于10mm2    
封装类型: 不限     金属封装     其他封装    
型号 光敏面面积(mm) 响应度(A/W) 分流电阻(Ohms) 电容(pF) NEP(W/√Hz) 是否制冷(-) 封装(-)
G-010 1×10.90 @ 1.5 μm200k15003E -13@1.5umTO-18
G-020 2×20.90@1.1µm≥ 90k9000<4.5E-13@1.5umTO-5
G-030 3×30.90≥ 40k13000<7E-13@1.5µm,100HzTO-5
G-050 5×50.9 @ 1.50 μm10k min ; 15k typ30000 typ<1.5×10-12@1.5umTO-8
G-100 10 x 100.9 @ 1.55 μm2k min ; 4k typ30000 typ<3.5E-12@1.55umC
G-130 13×100.9 @ 1.55 μm1k min ; 2k typ40000<5E-12@1.55umC
G-010-TE2 1×10.90@1.1µm200k@22°C
100M@-30°C
15003E-13@1.3um,22°C
1.5E-14@1.3um,-30°C
B
G-020-TE2 2×20.90@1.51µm90k@22°C
50M@-30°C
90004.5E-13@1.3um,22°C
2E-14@1.5um,-30°C
B
G-030-TE2 3×30.90@1.5µm40k@22°C
10M@-30°C
130007E-13@1.5um,22°C
4E-14@1.5um,-30°C
B
G-050-TE2 5×50.90@1.5µm15k@22°C
5M@-30°C
300001.5E-12@1.5um,22°C
6E-14@1.5um,-30°C
B
G-100-TE2 10 x 100.9 min @ 1.55 μm2k@22°C
50K@-30°C
30000<3.5E-12@1.55um,22°C
<7E-13@1.55um,-30°C
A
G-130-TE2 13 x 100.9 min @ 1.55 μm1k@22°C
25K@-30°C
40000<5E-12@1.55um,22°C
<1E-12@1.55um,-30°C
A
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