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高能粒子探测型 紫外增强型 蓝光增强型 可见-近红外型 1064nm增强型 高速响应型 内置滤光片型 内置前放,制冷型
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高速响应型 大光敏面型 内置前放,制冷型 波长扩展型 高灵敏度型
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锗光电二极管 硫化铅(Pbs)光电二极管 砷化铟(InAs)光电二极管 硒化铅(PbSe)光电二极管 锑化铟(IS)光电探测器 碲镉汞(MCT)光电探测器 低温操作接收模组 H系列接收模组
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紫外增强型 蓝光增强型 红光增强型 可见-近红外型 近红外增强型 1064nm增强型 Reach-through型 盖革工作模式型 内置前放、制冷型 内置滤光片型
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InGaAs光电雪崩二极管 内置前放型InGaAs APD
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LiTaO3 电流模式 LiTaO3电压模式 DLaTGS 电流差分模式 DLaTGS 电流模式 DLaTGS 电压差分模式
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固态硅光电倍增管 固态硅光电倍增管模组
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PSD位移探测器 四象限探测器 内置前放型
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波长探测器 双波长光电二极管 内置前放、制冷型 内置前放型
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红外黑体光源
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法布里-珀罗腔结构 激光二极管 脉冲激光二极管(PLD) 量子点结构 激光二极管 内置VBG光栅 激光二极管 VCSEL 激光二极管
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带金属底座 卤素灯 带反光杯 卤素灯 硬引脚 卤素灯 软引脚 卤素灯
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可编程电流放大器
※产品展示 > 红外探测器 > 锑化铟(IS)光电探测器
锑化铟(IS)光电探测器 - 产品筛选
类别: 不限     锗光电二极管     硫化铅(Pbs)光电二极管     砷化铟(InAs)光电二极管     硒化铅(PbSe)光电二极管     锑化铟(IS)光电探测器     碲镉汞(MCT)光电探测器     低温操作接收模组     H系列接收模组    
光敏面积: 不限     小于10mm2     大于10mm2    
封装类型: 不限     金属封装     其他封装    
型号 光敏面直径(mm) 工作波段(μm) 响应度(A/W) 分流电阻(Ohms) 电容(pF) 探测率(Cm-Hz1/2/W) 封装(-)
IS-010 Ø1.01.0 – 5.52.0 @ 5.0μm> 1M4001.0×1011LN Dewar
IS-020 Ø2.01.0 – 5.52.0 @ 5.0μm> 200k12001.0×1011LN Dewar
IS-0025 Ø0.251.0 – 5.52.0 @ 5.0μm> 10M401.0×1011LN Dewar
IS-030 Ø3.01.0 – 5.52.0 @ 5.0μm> 150k18001.0×1011LN Dewar
IS-040 Ø4.01.0 – 5.52.0 @ 5.0μm> 100k30000.8×1011LN Dewar
IS-050 Ø5.01.0 – 5.52.0 @ 5.0μm> 50k70000.8×1011LN Dewar
IS-070 Ø7.01.0 – 5.51.8 @ 5.0μm> 10k150000.5×1011LN Dewar
IS-100 Ø10.01.0 – 5.51.8 @ 5.0> 2k300000.5×1011LN Dewar
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