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接收器件

 - 高能粒子探测型、... 硅光电二极管
高能粒子探测型 紫外增强型 蓝光增强型 可见-近红外型 1064nm增强型 高速响应型 内置滤光片型 内置前放,制冷型
 - 高速响应型、大光... InGaAs光电二极管
高速响应型 大光敏面型 内置前放,制冷型 波长扩展型 高灵敏度型
 - 锗光电二极管、硫... 红外探测器
锗光电二极管 硫化铅(Pbs)光电二极管 砷化铟(InAs)光电二极管 硒化铅(PbSe)光电二极管 锑化铟(IS)光电探测器 碲镉汞(MCT)光电探测器 低温操作接收模组 H系列接收模组
 - 紫外增强型、蓝光... 硅光电雪崩二极管
紫外增强型 蓝光增强型 红光增强型 可见-近红外型 近红外增强型 1064nm增强型 Reach-through型 盖革工作模式型 内置前放、制冷型 内置滤光片型
 - InGaAs光电雪崩二... InGaAs光电雪崩二极管
InGaAs光电雪崩二极管 内置前放型InGaAs APD
 - LiTaO3 电流模式、... 热释电探测器
LiTaO3 电流模式 LiTaO3电压模式 DLaTGS 电流差分模式 DLaTGS 电流模式 DLaTGS 电压差分模式
 - 线阵光电二极管阵... 光电二极管阵列
线阵光电二极管阵列 线阵APD阵列 面阵光电二极管阵列 面阵APD阵列 PbSe阵列
 - 固态硅光电倍增管... 固态硅光电倍增管和模组
固态硅光电倍增管 固态硅光电倍增管模组
 - PSD位移探测器、四... 位置探测器
PSD位移探测器 四象限探测器 内置前放型
 - PIN管模组、APD模... 光电二极管接收模组
PIN管模组 APD模组 单光子计数模组
 - 波长探测器、双波... 双波长探测器
波长探测器 双波长光电二极管 内置前放、制冷型 内置前放型
 - 单通道热电堆、多... 热电堆
单通道热电堆 多通道热电堆 热电堆模块 温度传感器模块 阵列

发射器件

 - 红外黑体光源... 红外黑体光源
红外黑体光源
 - 法布里-珀罗腔结构... 激光二极管
法布里-珀罗腔结构 激光二极管 脉冲激光二极管(PLD) 量子点结构 激光二极管 内置VBG光栅 激光二极管 VCSEL 激光二极管
 - 低成本型 激光模组... 激光器模组
低成本型 激光模组 圆形光斑 激光模组 椭圆光斑 激光模组 一字型光斑 激光模组 十字型光斑 激光模组 拉曼光源模组 脉冲激光二极管模组 TEC制冷型 激光模组
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带金属底座 卤素灯 带反光杯 卤素灯 硬引脚 卤素灯 软引脚 卤素灯
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金属弧光灯 弧光灯光源盒
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白光LED模组
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其他

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可编程电流放大器
※产品展示 > 双波长探测器 > 双波长光电二极管
双波长光电二极管 - 产品筛选
类别: 不限     波长探测器     双波长光电二极管     内置前放、制冷型     内置前放型    
光敏面积: 不限     直径<1mm     直径1.5mm     直径2mm     直径2.5mm     直径3mm     直径5mm     直径10mm    
是否制冷: 不限     带制冷     不带制冷    
型号 材料(-) 光敏面尺寸(mm) 工作波长(nm) 响应度(A/W) 分流电阻(MΩ) NEP(W/√Hz) 结电容(pF) 是否制冷(-) 封装(-)
PIN-DSS Si topØ2.54400 - 11000.45500@-10mV1.3E-1470 -  - 
PIN-DSIn Si topØ2.54400 - 11000.55@870nm150@-10mV1.9E-14150@0v -  - 
PIN-DSIn-TEC Si topØ2.54400 - 11000.55@870nm150@-10mV1.9E-14450@0v -  - 
S/S-025 SiØ2.51000-11000.1 @ 1050 nm -  -  - TO5
S/S-025 Si(top)Ø2.5300-10000.5 @ 850 nm -  -  - TO5
IGA/IGA-020 InGaAsØ2900-17000.9 @ 1300 nm -  -  - TO5
IGA/IGA-020 InGaAsØ217000.05 @ 1750 nm -  -  - TO5
UVS/IGA-025/010 UV Si(top)Ø2.5200-10000.6 @ 850 nm -  -  - TO5
UVS/IGA-025/010 InGaAsØ11000-17000.6 @ 1300 nm -  -  - TO5
UVS/IGA-025/020 InGaAsØ21000-17000.6 @ 1300 nm -  -  - TO5
UVS/IGA-025/020 UV Si(top)Ø2.5200-10000.6 @ 850 nm -  -  - TO5
UVS/IGA-025/020-TE2 UV Si(top)Ø2.5200-10000.5@P -  -  - TO8
UVS/IGA-025/020-TE2 InGaAs(TEC)Ø21000-17000.6@P -  -  - TO8
S/IGA-010/010 Si(top)Ø1300-10000.6 @ 850nm -  -  - TO18
S/IGA-010/010 InGaAsØ11000-17000.90 @ 1300nm -  -  - TO18
S/IGA-025/010 Si(top)Ø2.5300-10000.6 @ 850nm -  -  - TO5
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